FPD2000AS
2W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
F
EATURES
:
•
•
•
•
•
•
•
33 dBm的输出功率（ P1dB为） @ 1.8GHz的
14分贝功率增益（ G1dB ） @ 1.8GHz的
46 dBm的输出IP3
10V操作
50％的功率附加效率
提供评估板
可用增益至4GHz
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD2000AS是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子
流动性
晶体管
（ pHEMT制）
在L波段功率应用进行优化。
表面贴装封装已
低寄生效应进行了优化。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
•
•
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
在WLL / WLAN电源应用和
WiMax技术（ 3.5GHz的）放大器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
P1dB
S
YMBOL
C
ONDITIONS
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
M
IN
32
T
YP
33
M
AX
U
尼特
DBM
功率增益1dB增益压缩
G1dB
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
12.5
14.0
最大稳定增益
味精
S21/S12
功率附加英法fi效率
PAE
在1分贝增益压缩
20
PIN =为0dBm ， 50Ω系统
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
VDS = 10V ; IDS = 350毫安
45
dB
%
3阶互调失真
IM3
ΓS
和
ΓL
调整以获得最佳的IP3
POUT = 22 dBm的
-47
dBc的
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻（通道到案例）
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
ΘCC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
≅
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -3 V
VDS = 1.3 V ; IDS = 4毫安
IGS = 4毫安
IGD = 4毫安
见注下页
0.7
6
20
1150
1800
1200
35
0.9
85
1.4
mA
mA
mS
µA
V
V
V
20
° C / W
注：t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范（特别注明的除外）
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
