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FPD2000AS 参数 Datasheet PDF下载

FPD2000AS图片预览
型号: FPD2000AS
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内容描述: PACKAGED 2W功率PHEMT [2W PACKAGED POWER PHEMT]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 281 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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初步
性能( 1.8千兆赫)
33 dBm的输出功率(P
1dB
)
14分贝功率增益(G
1dB
)
46 dBm的输出IP3
10V操作
50%的功率附加效率
提供评估板
可在网站设计数据
可用增益至4GHz
说明与应用
FPD2000AS
2W P
包装运输
P
OWER P
HEMT
见包装纲要
标识代码
该FPD2000AS是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管( pHEMT制) ,在L波段功率应用进行优化。表面贴装
包已经被优化的低寄生效应。
典型的应用包括在PCS的驱动程序或输出级/蜂窝基站发射机
放大器,以及在WLL / WLAN放大器等功率应用。
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
功率增益1dB增益压缩
最大稳定增益
S
21
/S
12
功率附加英法fi效率
在1分贝增益压缩
3
rd
阶互调失真
IP3
PAE
符号
P
1dB
G
1dB
味精
测试条件
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
Γ
S
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
Γ
S
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10 V ;我
DS
= 350毫安
P
IN
=为0dBm , 50Ω系统
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
Γ
S
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 10V ;我
DS
= 350毫安
Γ
S
Γ
L
调整以获得最佳的IP3
P
OUT
= 22 dBm的(单音级)
饱和漏源电流
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻(通道到外壳)
电话:
+1 408 850-5790
传真:
+1 408 850-5766
32
12.5
典型值
33
14.0
20
45
最大
单位
DBM
射频指标测量
f
= 1.8 GHz的使用CW信号
dB
%
-47
-44
dBc的
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
CC
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 4毫安
I
GS
= 4毫安
I
GD
= 4毫安
见注下页
975
1150
1800
1200
35
1325
mA
mA
mS
85
1.4
µA
V
V
V
° C / W
0.7
14
20
0.9
16
22
20
HTTP : //
www.filcs.com
修改后:
05/03/04
电子邮件:
sales@filcsi.com