FPD200P70
H
室内运动场
F
Characteristic低频
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
:
•
•
•
•
•
•
20 dBm的输出功率（P
1dB
)
17分贝增益在5.8 GHz的
0.7分贝噪声系数为5.8 GHz的
30 dBm的输出IP3
45％的功率附加效率
可用增益为26 GHz的
数据手册V3.0
P
ACKAGE
RoHS指令
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD200P70是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它
使用0.25mm厚×200mm的肖特基势垒
门，通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
•
•
LNA和驱动放大器来为26GHz
压控振荡器和倍频器
T
YPICAL
P
ERFORMANCE
:
RF P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
S
YMBOL
P1dB
SSG
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 30毫安
VDS = 5 V ; IDS = 30毫安
VDS = 5 V ; IDS = 30毫安
POUT =的P1dB
1.85GH
Z
20
21
45
5.8GH
Z
19
17
45
18GH
Z
20
9
45
U
尼特
DBM
dB
%
最大稳定增益（| S21 / S12 | ）
最小噪声科幻gure
输出三阶截取点
POUT每个音= 9 dBm的
味精
NFmin
IP3
VDS = 5 V ; IDS = 30毫安
VDS = 5 V ; IDS = 30毫安
VDS = 5V ; IDS = 30毫安
VDS = 8V ; IDS = 30毫安
24
0.3
29
31
21
0.7
28
30
14
2.2
28.5
31
dB
DBM
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
DC P
ARAMETER
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
S
YMBOL
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
θJC
C
ONDITIONS
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
≅
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.2毫安
IGS = 0.2毫安
IGD = 0.2毫安
VDS > 3V
M
IN
45
T
YP
60
120
80
1
M
AX
75
U
尼特
mA
mA
mS
10
1.3
µA
V
V
V
° C / W
0.7
12
14.5
0.9
14
16
325
注：t
环境
= 22°
1
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
初步规格如有变更，恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
网址：
www.filtronic.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
