FPD200
G
ENERAL
P
URPOSE P
HEMT ð
IE
F
EATURES
:
•
•
•
•
•
19 dBm的输出功率（ P1dB为）
13分贝功率增益为12 GHz的
17分贝最大稳定增益为12 GHz的
12分贝最大稳定增益为18 GHz的
45％的功率附加效率
数据手册V3.0
L
AYOUT
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该
FPD200
is
an
铝镓砷/铟镓砷
赝
高
电子
流动性
晶体管（ PHEMT ） ，采用了0.25
µm
by
200
µm
肖特基势垒门，由高定义
分辨率步进型光刻。
凹栅结构最小化
寄生效应以优化性能。
该
外延结构和加工已
优化
为
可靠
中功率
应用程序。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
•
•
•
•
窄带和宽带高
高性能的放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压高效率
输出放大器器
中程数字无线电发射器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
1
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
功率增益的P1dB
噪声系数
功率附加英法fi效率
最大稳定增益（S21 / S12）
f
= 12 GHz的
f
= 24 GHz的
S
YMBOL
P1dB
G1dB
N.F.min
PAE
味精
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 5V ; IDS = 50％的智能决策支持系统; POUT =的P1dB
M
IN
18
11.0
T
YP
19
13.0
1.2
45
M
AX
U
尼特
DBM
dB
dB
%
VDS = 5 V ; IDS = 50 ％ IDSS
16
10.5
17
12
dB
dB
饱和漏源电流
最大漏源电流
IDSS
IMAX
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
≅
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.2毫安
IGS = 0.2毫安
IGD = 0.2毫安
VDS > 3V
45
60
120
75
mA
mA
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热敏电阻
1
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
80
1
0.7
12.0
14.5
1.0
14.0
16.0
280
10
1.3
mS
µA
V
V
V
° C / W
θ
JC
注：t
环境
= 22°C ;测量RF规格
f
用CW信号以抽样方式= 12 GHz的
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
