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FPD3000SOT89E-BD 参数 Datasheet PDF下载

FPD3000SOT89E-BD图片预览
型号: FPD3000SOT89E-BD
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内容描述: 低噪声高线性度PACKAGED PHEMT [LOW NOISE HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 510 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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FPD3000SOT89
L
OW
N
OISE
H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输P
HEMT
F
EATURES
(1850MH
Z
):
30 dBm的输出功率( P1dB为)
13分贝小信号增益( SSG )
1.3分贝噪声系数
45 dBm的输出IP3
45%的功率附加效率
FPD3000SOT89E :符合RoHS标准
(指令2002/95 / EC )
数据手册V3.0
P
ACKAGE
:
RoHS指令
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FPD3000SOT89是封装耗尽
模式的AlGaAs /砷化铟镓假晶高
电子迁移率晶体管( pHEMT制) 。它
采用了0.25微米× 3000微米的肖特基势垒
门,通过高分辨率的定义stepper-
基于光刻。双凹
栅结构最大限度地减少寄生效应,优化
性能,具有外延结构
设计用于改善线性度的范围内
偏置条件和I / P功率水平。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
在PCS驱动程序或输出级/蜂窝
基站发射机放大器
高拦截点低噪声放大器
WLL和WLAN系统和其它类型的
无线基础设施系统。
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
小信号增益
功率附加英法fi效率
S
YMBOL
P1dB
SSG
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 50%的智能决策支持系统;
POUT =的P1dB
M
IN
29
11.5
T
YP
30
13
45
M
AX
U
尼特
DBM
dB
%
噪声系数
NF
VDS = 5 V ; IDS = 50 % IDSS
VDS = 5 V ; IDS = 25 % IDSS
1.3
0.9
dB
输出三阶截取点
(从15 〜5 dB以下的P1dB )
IP3
VDS = 5V ; IDS = 50 % IDSS
匹配的最佳动力
匹配最佳IP3
42
45
750
930
1.5
800
2
0.7
12
12
1.0
16
16
35
20
1.3
1100
mA
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
DBM
饱和漏源电流
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热阻
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
RθJC
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 3毫安
IGS = 3毫安
IGD = 3毫安
注:t
环境
= 22 ° ;在f = 1850 MHz的使用CW信号的RF测量规范(特别注明的除外)
1
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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