初步
•
性能
♦
22 dBm的输出功率（P
1dB
)
♦
19分贝功率增益（G
1dB
）在1.85 GHz的
♦
0.5分贝噪声系数在1.85 GHz的
♦
32 dBm的输出IP3
♦
在1.85 GHz的50 ％功率附加效率
♦
可用增益为20 GHz的
♦
提供评估板
FPD6836P70
H
I
-F
Characteristic低频
P
包装运输P
HEMT
GATE铅ANGLED
•
说明与应用
该
FPD6836P70
被包装的
耗尽型
铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25
µm
x 360
µm
肖特基势垒
门，
由定义
高分辨率步进系
光刻。
.
该
FPD6836
还提供裸片形式。
典型的应用包括增益模块和中等功率级的应用程序，以22千兆赫。
•
电气特性在22℃下
参数
功率1分贝增益压缩
增益1分贝增益压缩
功率附加英法fi效率
最大稳定增益（S
21
/S
12
)
f
= 12 GHz的
f
= 18 GHz的
噪声系数
输出三阶截取点
P
OUT
= 11 dBm的SCL
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
θ
JC
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
≅
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
- 0.2毫安
I
GS
- 0.2毫安
I
GD
- 0.2毫安
V
DS
＆ GT ; 3V
0.7
12
14.5
85
105
215
140
1
0.9
14
16
275
10
1.3
125
mA
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
NF
IP3
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
符号
P
1dB
SSG
PAE
味精
测试条件
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= P
1dB
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
13
11
0.5
32
dB
DBM
民
典型值
22
19
45
最大
单位
DBM
dB
%
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号（特别注明的除外）
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
修改后：
7/15/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
