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    FPD6836SOT343 参数 Datasheet PDF下载

    FPD6836SOT343图片预览
    型号： FPD6836SOT343
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    内容描述： 低噪声，高线性度包装PHEMT [LOW NOISE, HIGH LINEARITY PACKAGED PHEMT]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 220 K
    品牌： FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FPD6836SOT343的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FPD6836SOT343的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FPD6836SOT343的Datasheet PDF文件第4页  
    初步
    FPD6836SOT343
    L
    OW
    N
    OISE
    , H
    室内运动场
    L
    INEARITY
    P
    包装运输
    pHEMT制
    •
    偏置指南
    有源偏置电路提供良好的性能稳定性上运行的变化
    温度，但是需要的组件相比，自偏压或双偏置的更大的数字。
    这种电路应包括以下条款，以确保栅偏置漏偏前申请，
    否则的pHEMT可被诱导以自振荡。请联系您的销售代表
    附加信息。
    双偏置电路实现起来比较简单，但需要调节的负
    电压源为耗尽型器件，如FPD750SOT343 。
    自偏置电路采用的RF -旁路源电阻，以提供负栅 - 源极
    偏置电压，并且这些电路提供一些的温度稳定的设备。标称
    值电路的发展5.45
    Ω
    为I的50％
    DSS
    工作点。
    对于标准的A类操作，我50 ％
    DSS
    推荐偏置点。少量
    在压缩之前的发作RF增益扩张是正常的，这个工作点。注意
    pHEMTs ，因为它们是“准E / D模式”器件，显示出AB类性状在操作时
    我50 ％
    DSS
    。为了实现P之间的间隔较大
    1dB
    和IP3 ，在25％的工作点
    到第I 33％
    DSS
    范围被建议。这样的AB类操作不会降低IP3
    性能。
    包装外形
    （单位：mm ）
    •
    改变所有的信息和规格，恕不另行通知。
    电话：
    +1 408 850-5790
    传真：
    +1 408 850-5766
    http://www.filtronic.co.uk/semis
    修改后：
    09/15/05
    电子邮件：
    sales@filcsi.com

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