FPD750
0.5W P
OWER P
HEMT
F
EATURES
:
•
•
•
•
•
在12 GHz的27.5 dBm的线性输出功率
11.5分贝功率增益为12 GHz的
14.5分贝最大稳定增益为12 GHz的
38 dBm的输出IP3
50％的功率附加效率
数据手册V3.0
L
AYOUT
:
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该
FPD750
is
an
铝镓砷/铟镓砷
赝
高
电子
流动性
晶体管（ PHEMT ） ，采用了0.25
µm
by
750
µm
肖特基势垒门，由高定义
分辨率步进型光刻。
双凹栅结构最小化
寄生效应以优化性能。
该
外延结构和加工已
为可靠的高功率应用进行优化。
该FPD750还具有硅
3
N
4
钝化
并且是在低成本的塑料SOT89可用
SOT343和DFN封装。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
•
•
•
•
窄带和宽带高
高性能的放大器
卫星通信上行链路发射器
PCS /蜂窝低压高效率
输出放大器器
中程数字无线电发射器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
1
:
P
ARAMETER
功率1分贝增益压缩
最大稳定增益（S21 / S12）
功率增益的P1dB
功率附加英法fi效率
输出三阶截取点
IP3
（从15 〜5 dB以下的P1dB ）
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
热电阻系数（见注）
IDSS
IMAX
GM
IGSO
| VP |
| VBDGS |
| VBDGD |
匹配达到最佳的;调整为最佳的IP3
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VDS = 1.3 V ; VGS
≅
+1 V
VDS = 1.3 V ; VGS = 0 V
VGS = -5V
VDS = 1.3 V ; IDS = 0.75毫安
IGS = 0.75毫安
IGD = 0.75毫安
VDS > 6V
12.0
14.5
185
40
230
370
200
10
1.0
14.0
16.0
65
280
DBM
mA
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
S
YMBOL
P1dB
味精
G1dB
PAE
C
ONDITIONS
VDS = 8 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 8 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 8 V ; IDS = 50 ％ IDSS
VDS = 8 V ; IDS = 50％的智能决策支持系统; POUT =的P1dB
VDS = 8V ; IDS = 50 ％ IDSS
M
IN
26.5
13.5
10.5
T
YP
27.5
14.5
11.5
45
38
M
AX
U
尼特
DBM
dB
dB
%
θ
JC
注意：
1
T
环境
= 22°C ;测量RF规格
f
= 12 GHz的使用CW信号
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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