L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD750SOT343
•
PERFORMANCE （ 1850兆赫）
♦
0.3分贝噪声系数在25 ％偏置
♦
20 dBm的输出功率（P
1dB
)
♦
18分贝小信号增益（ SSG）的
♦
38 dBm的输出IP3 ，在50 ％偏置
♦
提供评估板
♦
可以在无铅表面处理： FPD750SOT343E
•
说明与应用
该FPD750SOT343是一个打包的耗尽型铝镓砷/铟镓砷伪形态高电子
迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它采用0.25
μm
x 750
μm
肖特基势垒门，被定义
高分辨率步进基于光刻法。凹陷和偏移栅结构最小化
寄生参数来优化性能，设计与改进的线性过的外延结构
范围的偏置条件和输入功率电平。该FPD750裸片形式和其他可用
包。
典型的应用包括在PCS驱动程序或输出级/蜂窝基站的高intercept-
点的LNA ， WLL和WLAN系统，和其他类型的无线基础设施系统。
•
电气特性在22℃下
参数
最小噪声科幻gure
输出三阶截取点
（从下面P 15 5分贝
1dB
)
小信号增益
功率1分贝增益压缩
SSG
P
1dB
符号
NF
IP3
测试条件
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
调整以获得最佳的IP3
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
饱和漏源电流
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
I
DSS
I
最大
G
M
I
GSO
|V
P
|
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
≅
+1 V
V
DS
= 1.3 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 1.3 V ;我
DS
= 0.75毫安
I
GS
= 0.75毫安
I
GD
= 0.75毫安
0.7
12
12
185
19
16.5
18
17
20
18
230
375
200
5
1.0
16
18
修改后：
04/28/05
电子邮件：
sales@filcsi.com
民
典型值
0.6
0.3
最大
0.9
单位
dB
DBM
射频指标测量
f
= 1850 MHz的使用CW信号
35.5
38
34
dB
DBM
280
mA
mA
mS
μA
1.3
V
V
V
电话：
+1 408 850-5790
传真：
+1 408 850-5766
http://www.filtronic.co.uk/semis
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
