初步数据表
•
特点
♦
21 dBm的输出功率在1dB
压缩在18 GHz的
♦
12.5分贝功率增益为18 GHz的
♦
55％的功率附加效率
♦
源过孔背面金属化
FPDA200V
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
pHEMT制
同
S
环境允许
V
IAS
门
BOND
PAD
漏
BOND
PAD
DIE SIZE ： 15.6X13.2密耳（ 395x335
µm)
管芯厚度： 3.9密耳（ 100
µm)
焊盘： 3.1X3.1密尔（ 80×80
µm)
•
说明与应用
该FPDA200V是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.25
µm
200
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构和处理已经
用于高动态范围进行优化。
典型的应用包括高动态范围的驱动器级用于商业应用，包括
无线基础设施系统中，宽频带放大器，和光学系统。
源通孔已被添加，以提高性能和组装方便。每个通孔
拥有0.02 nH的电感。另外，该导通孔，不需要用源键合线，
所需要的组件意味着只有两个键合线。因为经由源极焊盘连接到
背面金属化，自偏置结构的设计应慎用。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
I
GS
= 1毫安
I
GD
= 1毫安
-0.25
6
8
50
民
40
19
11
典型值
60
21
12.5
55
125
70
1
-0.8
7
9
260
10
-1.5
最大
85
单位
mA
DBM
dB
%
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
2/25/02
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
