费尔多尼克
固态
特点
LP1500SOT223
低噪声，高线性度包装PHEMT
•
•
•
•
•
+27 dBm的典型功率在1800兆赫
15分贝典型功率增益为1800兆赫
1.0分贝典型噪声系数
+42 dBm的典型截取点
颜色编码由我
DSS
范围
门
来源
来源
漏
（ TOP VIEW ）
说明与应用
该LP1500SOT223是封装铝砷化镓/铟镓砷化物（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束直写0.25
µm
1500
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。
外延结构和处理进行了优化，可靠的高功率应用。该LP1500还
拥有硅
3
N
4
钝化和提供在一个芯片形式或在用于大功率的带凸缘的陶瓷封装（ P100 ）
应用程序，或者在SOT -89塑料封装。
典型的应用包括PCS /蜂窝低压高效率输出放大器，以及通用动力
放大器。在LP 1500可购于各种等级的，这取决于具体的用户要求。标准手
MIL- STD- 19500 ， JANC级筛选后的图案。
性能规格（T
A
= 25°C)
符号
I
DSS
P
1dB
G
1dB
NF
IP3
I
最大
G
M
V
P
I
GSO
BV
GS
BV
GD
LP1500 - SOT223-1 BLUE
LP1500 - SOT223-2绿色
LP1500 - SOT223-3 RED
在1分贝增益压缩输出功率
f
= 1800兆赫
V
DS
= 3.3V ，我
DS
= 33% I
DSS
功率增益为1分贝增益压缩
f
= 1800兆赫
V
DS
= 3.3V ，我
DS
= 33% I
DSS
噪声系数
V
DS
= 3.3V ，我
DS
= 33% I
DSS
,
f
= 1.8 GHz的
输出截获点V
DS
= 3.3V ，我
DS
= 33% I
DSS
,
f
= 1.8 GHz的
最大漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= +1V
跨
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
捏-O FF电压
V
DS
= 2V我
DS
= 5毫安
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= -3V
栅源击穿电压
I
GS
= 8毫安
栅极 - 漏极击穿电压
I
GD
= 8毫安
参数
饱和漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
民
375
451
527
25.0
13.5
典型值
420
490
560
27.0
15.0
1.0
42
925
400
-1.2
10
-10
-11
最大
450
526
600
单位
mA
DBM
dB
dB
DBM
mA
mS
V
µA
V
V
300
-0.25
-8
-8
-2.0
75
DSS -026 WF
电话：
(408) 988-1845
互联网：
传真：
(408) 970-9950
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
