1W P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
31.5 dBm的输出功率，在1dB压缩在18 GHz的
♦
8分贝功率增益为18 GHz的
♦
在1dB压缩在3.3V 28 dBm的输出功率
♦
达45dBm输出IP3为18GHz的
♦
50％的功率附加效率
漏
BOND
PAD （2X）
来源
BOND
PAD （2X）
门
BOND
PAD （2X）
LP1500
•
说明与应用
DIE SIZE ： 16.5X16.1密耳（ 420x410
µm)
管芯厚度： 3密耳（ 75
µm)
焊盘： 1.9X2.4密耳（ 50x60
µm)
该LP1500是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.25
µm
1500
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”门结构
最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构及加工有
经过优化，可靠的高功率应用。该LP1500还具有硅
3
N
4
钝化
并且可在一个P100的带凸缘的陶瓷封装，成本低的塑料SOT89封装。
典型的应用包括商业和其他窄带和宽带高性能
放大器，其中包括卫星通信上行链路发射器， PCS /蜂窝低压高效率输出
放大器和中程数字无线电发射机。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
三输出截取点
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
IP3
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 5毫安
I
GS
= 8毫安
I
GD
= 8毫安
-0.25
-12
-12
385
民
375
30
6
典型值
490
31.5
8
45
50
925
450
10
-1.2
-15
-16
45
75
-2.0
最大
600
单位
mA
DBM
dB
DBM
%
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/18/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
