LP3000SOT89
L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
•
特点
♦
29 dBm的输出功率，在1dB压缩在1.8 GHz的
♦
15分贝功率增益为1.8 GHz的
♦
1.3分贝噪声系数
♦
46 dBm的输出IP3为1.8 GHz的
♦
55％的功率附加效率
•
说明与应用
该LP3000SOT89是封装铝砷化镓/铟镓砷化物
（铝镓砷/铟镓砷）伪形态高电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它利用了
0.25
µm
x 3000
µm
肖特基势垒栅，通过电子束光刻法限定。凹陷
“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延
结构和处理进行了优化，可靠的高功率应用。该LP3000还
特色氮化硅钝化和裸片形式或以其它封装。
典型的应用包括PCS /蜂窝低电压，高效率的放大器。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
参数
饱和漏源电流
LP3000SOT89-1
LP3000SOT89-2
LP3000SOT89-3
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
噪声系数
输出三阶截取点
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
频率= 1.8 GHz的
P-1dB
G-1dB
PAE
NF
IP3
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
IN
= 15 dBm的
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
IN
= 3 dBm的
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 15毫安
I
GS
= 15毫安
I
GD
= 15毫安
-0.25
-10
-10
700
符号
I
DSS
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
800
925
1025
28
14
860
975
1060
29
15
55
1.3
46
1700
900
15
-1.2
-12
-13
200
-2.0
924
1024
1100
mA
mA
mA
DBM
dB
%
dB
DBM
mA
mS
µA
V
V
V
民
典型值
最大
单位
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/16/02
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
