P
包装运输
M
EDIUM
P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
23 dBm的输出功率，在1dB压缩在15 GHz的
♦
11.5分贝功率增益为15 GHz的
♦
50％的功率附加效率
LP6836P70
•
说明与应用
该LP6836P70是一个打包的AlGaAs /砷化铟镓/铝镓砷伪形态高电子迁移率
晶体管（ pHEMT制），用于需要中等输出功率和/或高动态应用
范围内。
它采用0.25
µm
x 360
µm
肖特基势垒栅，由电子束定义
光刻。
典型的应用包括预驱动器的商用无线基础设施和无线链路的高
高性能功率放大器。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C*
°
参数
饱和漏源电流**
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
IN
= 20 dBm的
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 2毫安
I
GS
- 毫安
-0.25
-11
70
民
80
22
10.5
23
12
50
190
95
1
-0.8
-15
15
-2.0
典型值
最大
125
单位
mA
DBM
dB
%
mA
mS
µA
V
V
栅极 - 漏极击穿
|V
BDGD
|
I
GD
= 2毫安
-12
-16
V
电压幅值
*频率= 15千兆赫，除非另有说明
**原名分级为： LP6836P70-1 = 80-95毫安， LP6836P70-2 = 96-105毫安，而LP6836P70-3 = 106-125毫安
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/22/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
