M
EDIUM
P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
25 dBm的输出功率在1dB
压缩在18 GHz的
♦
9.5分贝功率增益为18 GHz的
♦
55％的功率附加效率
漏
BOND
PAD
来源
BOND
PAD （2X）
LP6836
门
BOND
PAD
•
说明与应用
DIE SIZE ： 14.2X13.0密耳（ 360x330
µm)
管芯厚度： 3.9密耳（ 100
µm)
焊盘： 1.9X1.9密尔（ 50×50
µm)
该LP6836是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.25
µm
360
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构和处理已经
用于高动态范围进行优化。该LP6836还具有硅
3
N
4
钝化是可用
P70和SOT343封装类型。
典型的应用包括高动态范围的驱动器级用于商业应用，包括
无线基础设施系统和宽带宽放大器。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 2毫安
I
GS
= 2毫安
I
GD
= 2毫安
-0.25
-11
-12
75
民
80
24
8.5
典型值
115
25
9.5
55
190
100
1
-1.2
-15
-16
100
10
-2.0
最大
125
单位
mA
DBM
dB
%
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/18/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
