费尔多尼克
固态
特点
LP6836P100
包装0.25W功率PHEMT
•
•
•
•
•
门
24.5 dBm的典型功率在15 GHz的
12分贝典型功率增益为15 GHz的
低互调失真
55％的功率附加效率
颜色编码由我
DSS
范围
来源
漏
说明与应用
该LP6836P100是封装铝砷化镓/铟镓砷化物（ AlGaAs构成/铟镓砷）假晶
高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束直写0.25
µm
360
µm
肖特基势垒
门。凹“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延
结构和处理进行了优化，可靠的高功率应用。该LP6836还具有硅
3
N
4
钝化是裸片形式，或P70封装。包的颜色编码由我
DSS
范围内。
典型的应用包括商用和军用高性能的功率放大器，其中包括卫星通信上行
发射器和中程数字无线电发射机。
该LP6836P100可以购买的各种等级的，这取决于具体的用户要求。标准手
MIL- STD- 19500 ， JANC级筛选后的图案。空间层次筛选FSS JANS级也可以。
性能规格（T
A
= 25°C)
符号
I
DSS
参数
饱和漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
LP6836 - P100-1蓝
LP6836 - P100-2绿
LP6836 - P100-3红
在1分贝增益压缩输出功率
f
= 15 GHz的
V
DS
= 8.0V ，我
DS
= 50% I
DSS
功率增益为1分贝增益压缩
f
= 15 GHz的
V
DS
= 8.0V ，我
DS
= 50% I
DSS
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= +1V
跨
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
捏-O FF电压
V
DS
= 2V我
DS
= 2毫安
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= -5V
栅源击穿电压
I
GS
= 2毫安
栅极 - 漏极击穿电压
I
GD
= 2毫安
民
80
96
106
23.5
8.5
典型值
90
100
115
24.5
9.5
55
190
95
-0.8
1
-15
-16
最大
95
105
125
单位
mA
P
1dB
G
1dB
η
添加
I
最大
G
M
V
P
I
GSO
BV
GS
BV
GD
DBM
dB
%
mA
mS
V
µA
V
V
70
-0.25
-11
-12
-1.5
15
DSS -031 WF
电话：
(408) 988-1845
互联网：
传真：
(408) 970-9950
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
