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LP6872P100-2 参数 Datasheet PDF下载

LP6872P100-2图片预览
型号: LP6872P100-2
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内容描述: 包装0.5W功率PHEMT [Packaged 0.5W Power PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 26 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号LP6872P100-2的Datasheet PDF文件第2页  
费尔多尼克
固态
特点
LP6872P100
包装0.5W功率PHEMT
+27 dBm的典型功率在15 GHz的
11分贝典型功率增益为15 GHz的
低互调失真
50%的功率附加效率
颜色编码由我
DSS
范围
来源
说明与应用
该LP6872P100是封装铝砷化镓/铟镓砷化物( AlGaAs构成/铟镓砷)假晶
高电子迁移率晶体管( PHEMT ) ,利用电子束直写0.25
µm
720
µm
肖特基势垒
门。凹“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延
结构和处理进行了优化,可靠的高功率应用。该LP6872还具有硅
3
N
4
钝化并提供裸片形式。
典型的应用包括商用和军用高性能的功率放大器,其中包括卫星通信上行
发射器和中程数字无线电发射机。空间层次筛选FSS JANS级也可以。
该LP6872 -P100可以购买的各种等级的,这取决于具体的用户要求。标准手
MIL- STD- 19500 , JANC级筛选后的图案。
性能规格(T
A
= 25°C)
符号
I
DSS
参数
饱和漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
LP6872 - P100-1 BLUE
LP6872 - P100-2绿色
LP6872 - P100-3 RED
在1分贝增益压缩输出功率
f
= 15 GHz的
V
DS
= 8.0V ,我
DS
= 50% I
DSS
功率增益为1分贝增益压缩
f
= 15 GHz的
V
DS
= 8.0V ,我
DS
= 50% I
DSS
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
V
DS
= 2V V
GS
= +1V
V
DS
= 2V V
GS
= 0V
捏-O FF电压
V
DS
= 2V我
DS
= 4毫安
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= -5V
栅源击穿电压
I
GS
= 4毫安
栅极 - 漏极击穿电压
I
GD
= 4毫安
180
207
234
25.5
8.0
典型值
195
220
245
27.0
9.5
50
385
220
-1.2
10
-15
-16
最大
206
233
260
单位
mA
P
1dB
G
1dB
η
添加
I
最大
G
M
V
P
I
GSO
BV
GS
BV
GD
DBM
dB
%
mA
mS
V
µA
V
V
170
-0.25
-12
-12
-2.0
50
DSS -033 WF
电话:
(408) 988-1845
互联网:
传真:
(408) 970-9950