0.5W P
OWER
pHEMT制
•
特点
♦
27 dBm的输出功率在1dB
压缩在18 GHz的
♦
9.5分贝功率增益为18 GHz的
♦
55％的功率附加效率
漏
BOND
PAD （2X）
来源
BOND
PAD （2X）
LP6872
门
BOND
PAD （2X）
•
说明与应用
DIE SIZE ： 14.6X19.7密耳（ 370x500
µm)
管芯厚度： 3.0密耳（ 75
µm)
焊盘： 1.9X2.4密耳（ 50x60
µm)
该LP6872是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.25
µm
720
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构和处理已经
为可靠的高功率应用进行优化。该LP6872还具有硅
3
N
4
钝化。
典型的应用包括商用无线基础设施放大器，如卫星通信上行
变送器， PCS /蜂窝低压高效率输出放大器，以及中程数字
无线电发射器。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 4毫安
I
GS
= 4毫安
I
GD
= 4毫安
-0.25
-10
-10
175
民
180
25
8
典型值
245
27
9.5
55
385
220
5
-1.2
-13
-14
70
40
-2.0
最大
260
单位
mA
DBM
dB
%
mA
mS
µA
V
V
V
° C / W
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/18/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
