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LP7612P70 参数 Datasheet PDF下载

LP7612P70图片预览
型号: LP7612P70
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内容描述: 封装的高动态范围PHEMT [PACKAGED HIGH DYNAMIC RANGE PHEMT]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 64 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
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P
包装运输
H
室内运动场
D
YNAMIC
R
ANGE
pHEMT制
特点
20 dBm的输出功率,在1dB压缩在18 GHz的
7.5分贝功率增益为18 GHz的
在2 GHz 16分贝小信号增益
0.8分贝噪声系数在2GHz
LP7612P70
说明与应用
该LP7612P70是封装铝砷化镓/铟镓砷化物
(铝镓砷/铟镓砷)假晶高电子迁移率晶体管( PHEMT ) ,利用一
电子束直写0.25
µm
200
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”
钛/铂/金栅结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。在外延结构
和处理已被优化用于高动态范围。该LP7612的活跃地区
钝化与思
3
N
4
和P70陶瓷封装是理想的低成本,高性能的
应用程序需要的表面贴装封装。
典型的应用包括高动态范围接收器的前置放大器的商业应用
包括蜂窝/ PCS系统,WLAN和WLL系统,以及其他类型的高增益
应用无线链路系统。
电气规格@ T
环境
= 25°C*
°
参数
饱和漏源电流**
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
噪声系数
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
NF
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 3.3 V ;我
DS
= 25% I
DSS
;
F = 2 GHz的
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
I
GS
= 1毫安
-0.25
-6
-8
60
40
19
6.5
20
7
45
0.8
125
80
1
-0.8
-7
-9
15
-1.5
1.2
典型值
最大
85
单位
mA
DBM
dB
%
dB
mA
mS
µA
V
V
V
栅极 - 漏极击穿
|V
BDGD
|
I
GD
= 1毫安
电压幅值
*频率= 18千兆赫,除非另有说明
**原名分级为: LPD7612P70-1 = 40-65 mA和LPD7612P70-2 = 66-85毫安
电话:
(408) 988-1845
传真:
(408) 970-9950
HTTP : //
www.filss.com
修改后:
1/20/01
电子邮件:
sales@filss.com