初步数据表
LPD200SOT343
P
包装运输
H
室内运动场
D
YNAMIC
R
ANGE
pHEMT制
•
特点
♦
0.6分贝噪声系数在2GHz
♦
15.5 dBm的P- 1分贝2千兆赫， 16.5 dBm的在6GHz
♦
21分贝功率增益在2 GHz ，10.5分贝6GHz的
♦
50％的功率附加效率在2 GHz
•
说明与应用
该LPD200是一个铝镓砷/铟镓砷（ AlGaAs构成/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.25
µm
200
µm
肖特基势垒门。凹“蘑菇”钛/铂/金栅结构
最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构及加工有
被优化用于高动态范围。该LPD200的有源区钝化与思
3
N
4
和
该SOT343 （也称为SC-70 ）封装是理想的低成本，高性能的应用程序
要求表面贴装封装。
该LPD200SOT343是专为商业系统用于低噪声放大器和
振荡器工作在射频和微波频率范围。低噪声系数使得它
适合于在微波系统和GPS接收器的使用。此装置也适合作为一个驱动级
WLAN和ISM频段扩频应用。
•
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益为1分贝
压缩
功率附加英法fi效率
噪声系数
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
NF
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
F = 2GHz的; V
DS
= 3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 2GHz的; V
DS
= 3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
F = 2GHz的; V
DS
= 3 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
OUT
= 19.5 dBm的
F = 2GHz的; V
DS
= 3V ;我
DS
= 25% I
DSS
F = 2GHz的; V
DS
= 5V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
I
GS
= 1毫安
I
GD
= 1毫安
-0.25
6
8
7
9
50
民
45
14
20
15.5
21
50
0.6
0.8
70
1
10
-1.5
典型值
最大
75
单位
mA
DBM
dB
%
dB
dB
mS
µA
V
V
V
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
2/09/01
电子邮件：
sales@filss.com
FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
