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LPS200 参数 Datasheet PDF下载

LPS200图片预览
型号: LPS200
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内容描述: 高性能,低噪声PHEMT [HIGH PERFORMANCE LOW NOISE PHEMT]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 33 K
品牌: FILTRONIC [ FILTRONIC COMPOUND SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号LPS200的Datasheet PDF文件第2页  
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
L
OW
N
OISE
pHEMT制
特点
1.0分贝噪声系数在18 GHz的
10分贝相关的增益为18 GHz的
低DC功耗
LPS200
BOND
PAD (2X)
来源
BOND
PAD (2X)
BOND
PAD (2X)
DIE SIZE : 12.6X10.2mils ( 320x260
µm)
管芯厚度: 3.9密耳( 100
µm)
焊盘: 3.3X2.6密耳( 85x65
µm)
说明与应用
该LPS200是一个铝镓砷/铟镓砷( AlGaAs构成/铟镓砷)
假晶高电子迁移率晶体管( PHEMT ) ,利用电子束指示按
写0.25
µ
米乘200
µ
米肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构和处理已经
用于高动态范围进行优化。该LPS200还具有硅
3
N
4
钝化是可用
各种套餐。
典型的应用是用于窄带和宽带放大器的低噪声器件。
电气规格@ T
环境
= 25°C
参数
饱和漏源电流
噪声系数
最低NF相关的增益
最大漏源电流
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
NF
G
A
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
-0.25
50
9
15
典型值
25
0.7
10
125
70
1
-0.8
285
10
-1.5
最大
50
1.3
单位
mA
dB
dB
mA
mS
µA
V
° C / W
电话:
(408) 988-1845
传真:
(408) 970-9950
HTTP : //
www.filss.com
修改后:
1/23/01
电子邮件:
sales@filss.com