数据
片
10GBPS 850NM VCSEL
阵列
V850-2106-001 ， V850 -TBD -001
产品特点：
850nm的隔离阴极和
阳极VCSEL阵列
可每通道10Gbps的中
调制
能的倒装芯片安装
该V850-2106-001和V850 -TBD -001是高性能的850纳米
的VCSEL （垂直腔面发射激光器）阵列模具用于高优化
高速数据通信。该阵列芯片非常适用于制造使用
收发器并行光互连。该阵列中任一可用
4或12信道的配置。
每款器件是一种高辐射率的VCSEL设计来转换电流成
可以在光纤通信和其它可使用的光功率
应用程序。作为电流变化高于阈值时，光强度
增加比例。
该V850-2106-001和V850 - TBD- 001顷设计为与用于
廉价的硅或砷化镓探测器，但优良的性能
也可以用一些砷化铟镓探测器实现的。
低驱动电流要求使从PECL （正直接驱动
发射极耦合逻辑）或ECL （发射极耦合逻辑）门可能，例
驱动程序的设计。
设计50/125和62.5 / 125UM多模光纤的接口
VCSEL的产生圆对称，无散光，窄发散
梁认为，适当的透镜，光纤耦合所有的发射功率。
双顶面的接触提供了一个最小的1微米的金线方便的
粘接。引线接合应该以最小的压力，以确保完成
VCSEL不被损坏。模具必须用导热安装
媒体。
该VCSEL阵列在6英寸的握环运上中等粘度蓝色胶带。
产品型号
V850-2106-001
描述
10Gbps的4通道VCSEL阵列芯片，双顶侧接触，半
绝缘衬底。
10Gbps的12通道VCSEL阵列芯片，双顶侧接触，半
绝缘基板
V850-TBD-001
FINISAR [ FINISAR CORPORATION. ]
