HFM102 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HFM102
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内容描述：	芯片硅整流 - 快速恢复型 [Chip Silicon Rectifier - Fast recovery type]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 40 K
品牌：	FORMOSA [ FORMOSA MS ]

芯片硅整流

HFM101通HFM108

快恢复

特点

塑料包装有保险商实验室

易燃性分类科幻阳离子94V -O利用火焰

阻燃环氧树脂M

掩门复合。

对于表面安装应用程序。

超过MIL -S - 19500 /环境标准

228

低漏电流。

专利申请公开号37116

SMA

0.185(4.8)

0.177(4.4)

0.012 （ 0.3 ）典型值。

0.110(2.8)

0.094(2.4)

0.165(4.2)

0.150(3.8)

0.067(1.7)

0.060(1.5)

0.040 （ 1.0 ）典型值。

机械数据

案例：模压塑料， JEDE DO- 214AC

码头：焊接镀，S olderable每MIL -STD- 750 ，

方法2026

极性：由阴极频带指示

安装P

osition ：任何

重量： 0.0015盎司， 0.05克

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值

（在T

=25

C除非另有说明）

参数

正向整流电流

正向浪涌电流

条件

环境温度= 50

8.3ms单半正弦波叠加

率负荷（ JEDEC梭）

= V

RRM

符号

FSM

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

5.0

150

单位

反向电流

热阻

二极管的结电容

储存温度

-55

= V

RRM

= 100 C

结到环境

F = 1MHz至4VDC施加反向电压

C / W

+150

符号

记号

CODE

H11

H12

H13

H14

H15

H16

H17

H18

RRM

RMS

操作

温度

(

(V)

HFM101

HFM102

HFM103

HFM104

HFM105

HFM106

HFM107

HFM108

100

200

300

400

600

800

1000

(V)

140

210

280

420

560

700

(V)

100

200

300

400

600

800

1000

(V)

（纳秒）

1.0

* 1重复峰值反向电压

1.3

-55到+150

* 2 RMS电压

* 3连续反向电压

1.85

* 4最大正向电压

* 5反向恢复时间

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