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型号: FSM75N75
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内容描述: N沟道75V 0.0097Ω 80A功率MOSFET [N-CHANNEL 75V 0.0097Ω 80A POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 563 K
品牌: FOSLINK [ FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD ]
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N沟道75V 0.0097Ω 80A功率MOSFET
FSM75N75
特点
部件号
FSM75N75
V
ð S S小
(以TJ ( MAX))
75V
R
ð S(O N)
<0.011Ω
I
D
80A
概述
该功率MOSFET系列产品已明确了
旨在最大限度地减少输入电容和闸
费。因此,适合作为在主开关
先进的高效率,高频率分离
DC-DC转换器电信和计算机
应用程序。它也适用于任何应用
具有低栅极驱动要求。
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
低的固有电容
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
直流电机控制
电磁阀和继电器驱动器
DC- DC转换器
汽车环境
内部原理图和外部
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
dv / dt的
E
AS
T
J
T
英镑
参数
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏极电流(以T脉冲有限
JM
)在T
C
= 25°C
T
J
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
(I
SD
≤80A,
DI / dt≤300A / μs的,V
DD
≤V
( BR ) DSS
, T
J
≤T
JMAX
)
T
J
= 25 ° C,I
D
= 40A ,V
DD
= 38V
最大工作结温
储存温度
等级
75
± 20
80
65
320
200
1.5
15
700
160
-55〜 160
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
°C
单位
V
V
1/9
2007-7-27