300MA高PSRR低压差CMOS线性稳压器
FSP2130
应用信息
电容的选择和调节器的稳定性
类似于任何低压差调节器，与FSP2130使用的外部电容器必须小心地选择用于
调节器的稳定性和性能。
使用一个电容C
IN
，其值是
＞1μF
在FSP2130输入引脚，电容的量可以是
增加无极限。请注意， C之间的距离
IN
和FSP2130输入引脚不应该
超过0.5英寸。陶瓷电容器适用于FSP2130 。电容器具有更大的价值和更低的ESR
提供更好的PSRR和线路瞬态响应。
该FSP2130是专门设计的低ESR陶瓷输出电容器工作，从而节省空间和
提高性能。使用一个输出陶瓷电容器，其值
＞2.2μF
与ESR \u003e 5mΩ的保证稳定性。
一个10nF的旁路电容连接到BYP引脚，建议以抑制输出噪声。电容器，串联
具有内部200kΩ的电阻连接，形成了一个低通滤波器，用于降低噪声。增大电容将
略有减少输出噪声，但增加了启动时间。
负载瞬态注意事项
在图11显示的FSP2130负载瞬态响应。它显示了两个组件的输出响应：直流偏移
从输出阻抗由于负载电流变化和瞬态响应。直流偏移的原因是相当小
该FSP2130优秀的负载调整率。瞬时尖峰，从负载电流中的阶跃变化，从所得
1毫安300mA的电流，为20mV 。输出电容器的ESR是瞬时尖峰的关键。更大的电容沿
具有较小的ESR导致较小的尖峰。
内部P沟道MOSFET
该FSP2130设有一个0.75Ω的P沟道MOSFET器件的导通晶体管。 P型MOS晶体管通
使FSP2130消耗仅65μA的地电流的低压差，轻载或重载时
操作。此功能提高了电池的工作寿命时间。
输入输出电压差
监管机构的最低压差电压决定了最低可用电源电压。该FSP2130具有典型
300mV的压差电压。在电池供电系统，这将决定报废的有用的电池电压。
电流限制和短路保护
该FSP2130有电流限制，该监视和控制的传输晶体管的栅极电压。输出
电流可通过调节栅极电压被限制400mA的电流。该FSP2130也有一个内置的短路电流
极限。
散热注意事项
热保护的FSP2130限制功耗。当结温超过150 ℃时，
OTP （过温保护），启动热关断和开启旁路晶体管关闭。通
晶体管恢复操作后，结温低于120 ℃ 。
对于连续操作，结温度应保持低于125 ℃ 。功耗是
定义为：
P
D
=(V
IN
-V
OUT
)*I
O
+V
IN
*I
GND
最大功耗取决于IC封装， PCB布局，速度的热阻
周围的结点和环境之间的气流和温度的差异。最大功率耗散能
来计算由下列公式计算：
P
D（最大）
=(T
J（下最大）
-T
A
)/θ
JA
其中T
J（下最大）
是最大允许结温125 ℃ 。牛逼
A
是在环境温度和
θ
JA
为
从结点到环境的热阻。
例如，
θ
JA
为250 ℃ / W为SOT23-3L封装，基于标准的JEDEC 51-3为单层
热测试板。在T最大功率耗散
A
= 25 ℃ ，可以计算由下式：
P
D（最大）
= (125℃-25℃)/250=0.4W
它也是有用的计算在一组特定条件下FSP2130的结温。在这
比如让输入电压V
IN
= 3.3V，输出电流I
O
= 300毫安的情况下温度T
A
= 40 ℃时测得
手术过程中热电偶。的功耗对于V
O
=的FSP2130的2.8V版本可以
计算公式如下：
P
D
=(3.3V-2.8V)*300mA+3.3V*70μA
≌
150mW
和结温度T
J
可以计算如下：
T
J
=T
A
+P
D
*θ
JA
T
J
=40℃+0.15W*250℃/W
=77.5℃＜T
J（下最大）
=125℃
此操作条件，TJ和比所述绝对最大工作结温125 ℃下，所以它是
使用安全的FSP2130在此配置。
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2007-4-19
FOSLINK [ FOSLINK SEMICONDUCTOR CO.,LTD ]
