飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S4125N
第0版， 1/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率高达500兆赫。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
•
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 465 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1100毫安，P
OUT
。 = 25瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 〜13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 23分贝
漏极效率 - 30.2 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47.6 dBc的30 kHz带宽
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 465兆赫， 125瓦CW
输出功率
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
内部匹配的易用性
•
资格高达32 V ，最大
DD
手术
•
集成ESD保护
•
200℃有能力塑料包装
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF5S4125NR1
MRF5S4125NBR1
450 - 480兆赫， 25 W的AVG ， 28 V 。
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
MRF5S4125NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
MRF5S4125NBR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度90 ° C， 125瓦CW
外壳温度90 ° C， 25瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.33
0.43
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRF5S4125NR1 MRF5S4125NBR1
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
