飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT05MS031N
第0版， 6/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
专为移动2 - 双向无线电应用与频率
136至520兆赫。高增益，耐用性和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器
应用在移动无线电设备。
典型特性：
（ 13.6伏，T
A
= 25 ° C， CW）
频率
（兆赫）
380--450
(1,3)
450--520
(2,3)
520
(4)
G
ps
（ dB）的
18.3
17.7
17.7
η
D
(%)
64.1
62.0
71.4
P1dB
(W)
31
31
33
TO -
-270-
-2
塑料
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1
AFT05MS031GNR1
136-
-520兆赫， 31 W， 13.6 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
520
(4)
信号
TYPE
CW
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
TEST
电压
17
结果
没有设备
降解
1.测量380--450 MHz的超高频宽带的参考电路。
2.测量450--520 MHz的超高频宽带的参考电路。
3.显示的值是在整个的最低测得的性能数据
指定的频率范围。
4.测量520 MHz的窄带测试电路。
TO -
-270- GULL
-2
塑料
AFT05MS031GNR1
特点
•
特点是操作从136到520兆赫
•
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
•
集成ESD保护
•
综合稳定性增强
•
宽带 - 整个波段全功率：
−
136--174兆赫
−
380--450兆赫
−
450--520兆赫
•
225℃有能力塑料包装
•
卓越的热性能
•
高线性度为： TETRA ， SSB ， LTE
•
成本 - 效益超过 - 模压塑料封装
•
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
典型应用
•
输出级VHF频段移动通信
•
输出级的UHF频段移动通信
门
漏
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
©
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AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
