可编程只读存储器（PROM ）
罗蒙 - PROM使能位
该位被置位复位，可实现在所有模式下的EPROM或OTPROM 。该位写在一次
正常模式（ SMOD = 0），但是可写在特殊模式（ SMOD = 1）的任何时间。
1 = PROM的是存在于所述的存储器映射。
0 = PROM中，从存储器映射禁用。
记
在扩展模式下复位时， EPROM或OTPROM位于
$ 7000- $ 7FFF 。在所有其它模式下， PROM居住在$ F000- $ FFFF 。
2.4可编程只读存储器（PROM ）
该MC68HC711D3具有一次性可编程只读存储器4千字节（ OTPROM ） 。在PROM
地址为$ F000- $ FFFF除了扩大复用的所有模式。在expanded-复用模式下，
PROM位于$ 7000- $ 7FFF复位后。
一个MC68HC711D3的芯片上的只读存储器（ROM ）被编程在MCU模式。在这种模式下，
PROM的是通过在自举或测试模式的MCU的编程。一个PROM的擦除状态
字节为$ FF 。
使用片上OTPROM编程功能需要一个外部12伏标称电源
(V
PP
） 。通常的编程是使用OTPROM编程寄存器（ PPROG ）来完成的。
如下面的小节中描述，编程这两种方法和验证EPROM是
可能的：
1.将单个EPROM地址
2.编程下载的数据的EPROM
2.4.1编程单个EPROM地址
在该方法中，微控制器的程序自身的EPROM中，通过控制PPROG寄存器。使用这些
程序编程通过单片机与EPROM ：
•罗蒙位CONFIG寄存器设置
•在12伏额定电压的编程上存在XIRQ / v
PP
针
• IRQ引脚必须被拉高。
EPROG
LDAB
刺
STAA
LDAB
刺
JSR
CLR
#$20
$003B
$0,X
#$21
$003B
DLYEP
$003B
设置ELAT位（ PGM = 0 ），以使
EPROM锁存器。
将数据存储到EPROM地址
设置PGM位与ELAT = 1来启用
EPROM编程电压
延迟2-4毫秒
关闭编程电压，并设置
为READ模式
MC68HC711D3数据手册，第2.1
飞思卡尔半导体公司
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