第2章
操作模式和片上存储器
2.1简介
本节包含有关运行模式和片上存储器的M68HC11信息
E系列的MCU 。除了一些细微差别，操作是相同的在E系列中的所有器件。
差异指出在必要时。
2.2操作模式
在模式选择输入端和MODB MODA的复位过程中的值确定的运行模式。
单芯片和扩展复用是正常的模式。
•在单芯片模式下的片上存储器可用。
•扩展的模式，但是，允许访问外部存储器。
每两个正常的模式是搭配特殊的模式：
•自举，的单芯片模式的变化，是执行引导加载程序的一种特殊模式
程序在内部引导ROM 。
•测试是一种特殊的模式，允许特权访问内部资源。
2.2.1单芯片模式
在单芯片模式，端口B和C选通引脚（ STRA ）和B （ STRB ）可用于
通用并行输入/输出（ I / O） 。在这种模式下，所需要的所有软件控制MCU是
包含在内部资源。如果存在的话，只读存储器（ROM）和/或可擦除可编程
只读存储器（EPROM）将总是开启脱离复位，确保与复位和中断
载体将可在位置$ FFC0- $ FFFF 。
记
对于MC68HC811E2 ，向量的位置是相同的;然而，他们
包含2048个字节的EEPROM阵列中。
2.2.2扩展模式
在扩展的操作模式下，MCU可以访问全部64 KB的地址空间。该空间包括：
•用于单芯片模式中的相同的片上存储器地址
•用于外设和存储设备的地址
扩展总线是由端口B和C ，和控制信号AS（地址选通）和R / W的
（读/写） 。 R / W和AS允许低位地址和8位数据总线进行的复
同样的引脚。在第一个每个总线周期的地址信息的一半存在。在第二半
每个总线周期的管脚成为双向数据总线。 AS是一个高电平有效的锁存器使能信号，用于
外部地址锁存器中。地址信息是通过透明锁存允许而AS是高
而当用作驱动低被锁定。
M68HC11E系列数据手册，版本5.1
飞思卡尔半导体公司
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