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MMG3013NT1 参数 Datasheet PDF下载

MMG3013NT1图片预览
型号: MMG3013NT1
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内容描述: 异质结双极晶体管技术(的InGaP HBT ) [Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)]
分类和应用: 晶体晶体管射频微波
文件页数/大小: 12 页 / 217 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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50 OHM典型特征
25
G
p
,小信号增益(dB )
T
C
= 85°C
20
-40°C
25°C
S11 ,S22 ( dB)的
0
S22
−10
−20
S11
−30
15
V
CC
= 5 VDC
10
0
1
2
男,频率(GHz )
3
4
−40
0
1
2
男,频率(GHz )
3
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 90毫安
4
图2.小-Signal增益( S21 )与
频率
图3.输入/输出回波损耗 -
频率
23
的P1dB , 1 dB压缩点( DBM)
21
G
p
,小信号增益(dB )
19
1960年兆赫
17
15
13
11
9
10
12
14
16
18
20
P
OUT
,输出功率(dBm )
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 90毫安
2600兆赫
3500兆赫
900兆赫
2140兆赫
23
22
21
20
19
18
17
16
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
男,频率(GHz )
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 90毫安
图4.小-Signal增益与输出
动力
IP3 ,三阶输出截取点( DBM)
180
I
CC
,集电极电流(毫安)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
5.2
5.4
V
CC
,集电极电压(V )
39
图5的P1dB与频率
36
33
30
V
CC
= 5 VDC
I
CC
= 90毫安
1 MHz的音调间隔
0
1
2
男,频率(GHz )
3
4
27
24
图6.集电极电流与集电极
电压
图7.三阶输出截取点
与频率
MMG3013NT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司