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MMG3014NT1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMG3014NT1
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内容描述: 异质结双极晶体管技术(的InGaP HBT ) [Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 17 页 / 350 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MMG3014NT1
第0版, 4/2008
异质结双极晶体管
技术(的InGaP HBT )
宽带高线性度放大器
该MMG3014NT1是一种通用放大器,内部
输入匹配和内部输出prematched 。它是专为广泛的
范围内A类,小 - 信号,高线性度,一般用途的应用
系统蒸发散。它适合于应用程序的频率,从40到4000兆赫
如蜂窝, PCS , BWA , WLL ,小灵通, CATV , VHF , UHF , UMTS和
一般的小 - 信号RF 。
特点
频率: 40 - 4000兆赫
P1dB为25 dBm的@ 900 MHz的
小 - 信号增益19.5 dB的900兆赫
三阶输出截取点: 40.5 dBm的@ 900 MHz的
单5伏电源
有源偏置
低成本SOT - 89表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀=每12mm时, 7英寸卷轴1,000单位。
MMG3014NT1
40 - 4000兆赫, 19.5分贝
25 dBm的
的InGaP HBT
12
3
CASE 1514至1502年,风格1
SOT - 89
塑料
表1.典型性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@ 1分贝
压缩
三阶输出
截取点
符号
G
p
IRL
ORL
P1db
IP3
900
兆赫
19.5
- 25
- 11
25
40.5
2140
兆赫
15
- 12
−13
25.8
40.5
3500
兆赫
10
-8
- 19
25
40
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
300
15
- 65 〜+ 150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠,结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC
= 5 VDC ,T
C
= 25 ° C, 50欧姆系统
表3.热特性
(V
CC
= 5 VDC ,我
CC
= 135毫安,T
C
= 25°C)
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
价值
(3)
27.4
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
©
飞思卡尔半导体公司, 2008年。保留所有权利。
MMG3014NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司