MRF186 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF186
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内容描述：	射频MOSFET线RF功率场效应晶体管沟道增强模式横向MOSFET [The RF MOSFET Line RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小：	8 页 / 517 K
品牌：	FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]

存档的飞思卡尔半导体公司。 2005年

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

由MRF186 / D

射频MOSFET线

射频功率场效应晶体管

N沟道增强模式横向MOSFET

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

连锁商店从800MHz至1.0千兆赫。高增益和该宽带性能

设备使其理想用于大信号，在28个共源放大器的应用

伏基站设备。

•

保证性能@ 960兆赫， 28伏

输出功率 - 120瓦PEP

功率增益 - 11分贝

效率 - 30 ％

互调失真 - -28 dBc的

•

优良的热稳定性

•

100 ％，在所有相位角与测试的负载不匹配应力

5 ： 1 VSWR @ 28伏直流电， 960兆赫， 120瓦CW

MRF186

1.0千兆赫， 120 W， 28 V

横向N沟道

宽带

RF功率MOSFET

CASE 375B -04 ，风格1

NI–860

存档的2005年

最大额定值

(2)

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 1 MΩ)

栅源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

= 70°C

减免上述70℃

存储温度范围

工作结温

符号

DSS

DGR

英镑

价值

±20

162.5

1.25

- 65 〜+ 150

200

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

°C

热特性

(2)

特征

热阻，结到外壳

符号

θJC

最大

0.8

单位

° C / W

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

第5版

摩托罗拉RF



摩托罗拉公司，2002年

设备数据

MRF186

存档的2005年

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