飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF19085
启8 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000至00年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
•
典型2 - 载波N - 为V CDMA性能
DD
= 26伏，
I
DQ
= 850毫安，P
OUT
= 18瓦平均， F1 = 1960兆赫， F2 = 1962.5兆赫
IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 〜13 ）
1.2288 MHz信道带宽的载体。相邻信道测
在30kHz处的带宽为f1 - 885千赫和f2 885千赫。失真
产品实测超过1.2288 MHz的带宽，在F1 - 2.5 MHz和
F2 2.5兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 18瓦的魅力。
功率增益 - 13.0分贝
效率 - 23 ％
ACPR - - 51分贝
IM3 - - 36.5 dBc的
•
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1960兆赫， 90瓦CW
输出功率
特点
•
内部匹配的易用性
•
高增益，高效率和高线性度
•
集成ESD保护
•
专为最大增益和插入相位平坦度
•
优良的热稳定性
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
μ″
标称。
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF19085LR3
MRF19085LSR3
1930- 1990兆赫， 90 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF19085LR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF19085LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
273
1.56
- 65 〜+ 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
0.79
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRF19085LR3 MRF19085LSR3
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