飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21060
牧师9 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2100年至2200年兆赫。适合W¯¯ - CDMA ， CDMA，TDMA， GSM和
多载波放大器应用。
•
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
P
OUT
= 6瓦平均，全频段，信道带宽= 3.84
兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 12.5分贝
漏极效率 - 15 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 47 dBc的在3.84 MHz信道带宽
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
•
内部匹配的易用性
•
高增益，高效率和高线性度
•
集成ESD保护
•
专为最大增益和插入相位平坦度
•
优良的热稳定性
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
μ″
标称。
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF21060LR3
MRF21060LSR3
2110年至2170年兆赫， 60 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF21060LR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF21060LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
180
0.98
- 65 〜+ 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
1.02
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
©
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF21060LR3 MRF21060LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
