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型号: MRF21180
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内容描述: 射频功率场效应晶体管 [RF Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 12 页 / 333 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MRF21180
牧师6 , 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA , CDMA和多载波放大器应用。
PCS /蜂窝无线电和WLL应用程序 - 将在AB类的PCN使用。
典型2 - 载波W - 为V CDMA性能
DD
= 28伏,
I
DQ
1700毫安, F1 = 2135兆赫, F2 = 2145兆赫,
信道带宽= 3.84 MHz时,相邻信道测过
3.84 MHz带宽@ F1 - 5 MHz和F2 + 5兆赫。失真产物
测过一个3.84 MHz的带宽@ F1 - 10 MHz和F2 + 10 MHz时,
每个载波峰值/平均。 = 8.3分贝@ CCDF上0.01 %的概率。
输出功率 - 38瓦(平均)。
功率增益 - 12.1分贝
效率 - 22 %
IM3 - 37.5 dBc的
ACPR - - 41 dBc的
能够处理5 : 1 VSWR , @ 28伏直流, 2140兆赫, 170瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益,高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米, 13英寸卷筒150个单位。
MRF21180R6
2110年至2170年兆赫, 170 W, 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ,风格1
NI - 1230
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
380
2.17
- 65 〜+ 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.46
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
1 (最低)
M3 (最低)
©
飞思卡尔半导体公司, 2006年。保留所有权利。
MRF21180R6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司