飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF372
牧师9 ， 5/2006
射频功率场 - 效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店从470到860兆赫。高增益和该宽带性能
设备使其非常适用于大型 - 信号，在共源放大器的应用
32伏的发射设备。
•
典型的窄带两个 - 音频性能@ F1 = 857 MHz时，
F2 = 863兆赫， 32伏
输出功率 - 180瓦PEP
功率增益 - 17分贝
效率 - 36 ％
IMD - - 35 dBc的
•
典型的宽带两个 - 音频性能@ F1 = 857 MHz时，
F2 = 863兆赫， 32伏
输出功率 - 180瓦PEP
功率增益 - 14.5分贝
效率 - 37 ％
IMD - - 31 dBc的
•
能够处理3 ： 1 VSWR @ 32 VDC ， 857兆赫， 90瓦的连续输出
动力
特点
•
内部匹配的易用性
•
集成ESD保护
•
优良的热稳定性
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
C
T
J
MRF372R3
MRF372R5
470 - 860兆赫， 180 W， 32 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375克 - 04 ，风格1
NI - 860C3
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +15
17
350
2.0
- 65 〜+ 150
150
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.5
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
©
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF372R3 MRF372R5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
