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MRF587 参数 Datasheet PDF下载

MRF587图片预览
型号: MRF587
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内容描述: 高频三极管NPN硅 [HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 8 页 / 159 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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摩托罗拉
半导体技术资料
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由MRF587 / D
射频线
NPN硅
高频三极管
。 。 。设计用于高增益,低噪声,超线性用途,调谐和宽带
放大器。非常适用于CATV ,美亚和仪器仪表应用。
低噪声系数 -
NF = 3.0分贝(典型值) @ F = 500 MHz时, IC = 90毫安
高功率增益 -
GU (最大值) = 16.5分贝(典型值) @ F = 500 MHz的
离子注入
所有黄金金制度
高FT - 5.5 GHz的
低互调失真:
TB3 = - 70分贝
DIN = 125分贝
µV
镍铬合金发射极镇流电阻
MRF587
NF = 3.0 dB的0.5 GHz的
高频率
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述TC = 50℃
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
17
34
2.5
200
5.0
33
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
°C
°C
CASE 244A -01 ,风格1
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明。 )
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = 5.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 1.0 MADC , IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IC = 0 ,IE = 0.1 MADC )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 10 VDC , IE = 0 )
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
17
34
2.5
50
VDC
VDC
VDC
μAdc
基本特征
直流电流增益( 1 )
( IC = 50 MADC , VCE = 5.0 V直流)
注意:
1. 300
µs
脉泰克576或同等学历。
的hFE
50
200
(续)
REV 6
©
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF587
1