飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFE6S9045N
牧师0 ， 10/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于频宽带商业和工业应用
quencies最高到1000 MHz 。高增益和该宽带性能
设备使得它非常适合大 - 信号，常见的 - 源极放大器的应用
在28伏基站设备。
•
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880兆赫，V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 350毫安， P
OUT
。 = 10瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 〜13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 22.1分贝
漏极效率 - 32 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 46 dBc的30 kHz的信道带宽
•
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 880兆赫， 3分贝高速，
专为增强耐用性
GSM EDGE应用
•
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 350毫安，
P
OUT
= 16瓦的魅力，全频段（ 920 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 46 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
GSM应用
•
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 45瓦，
全频段（ 920 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 68 ％
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
集成ESD保护
•
225℃有能力塑料包装
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R1后缀=每24毫米， 13英寸卷轴500单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
最大工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
MRFE6S9045NR1
880兆赫，10W平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1265- 09 ，风格1
TO - 270 - 2
塑料
价值
- 0.5, +66
- 0.5, + 12
32, +0
- 65 〜+ 150
150
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 45瓦CW
外壳温度79 ° C， 10瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
1.0
1.1
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具（软件&工具） /计算器访问MTTF计算器
按产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRFE6S9045NR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
