飞思卡尔半导体公司
技术参数
MW4IC915N
启7 ， 5/2006
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC915NB / GNB宽带集成电路是专为GSM
和GSM EDGE基站应用。它采用飞思卡尔最新的高
电压（ 26 〜28伏特） LDMOS IC技术，并集成了多 - 舞台
结构。其宽带片上的设计使得它可以使用750至1000兆赫。
线性演出涵盖所有调制的蜂窝应用： GSM ，
GSM EDGE ， TDMA ，N - CDMA和W - CDMA 。
最终的应用
•
典型性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 60 mA时，我
DQ2
= 240毫安，
P
OUT
= 15瓦CW ，全频波段（ 860 - 960兆赫）
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 44 ％
驱动器应用
•
典型的GSM / GSM EDGE性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 60毫安，
I
DQ2
= 240毫安， P
OUT
= 3瓦的魅力，全频波段（ 869 - 894 MHz的
和921 - 960兆赫）
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 19 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 65 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 83 dBc的
EVM - 1.5 ％
•
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 921兆赫， 15瓦CW
输出功率
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >3欧姆输出）
•
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
•
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
•
集成ESD保护
•
200℃有能力塑料包装
•
ñ后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
•
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
V
RD2
V
RG2
V
DS1
RF
in
V
RD1
V
RG1
V
GS1
V
GS2
V
DS2
/ RF
OUT
MW4IC915NBR1
MW4IC915GNBR1
860 - 960兆赫， 15 W， 26 V
GSM / GSM EDGE ，N - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW4IC915NBR1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW4IC915GNBR1
GND
V
RD2
V
RG2
V
DS1
V
RD1
RF
in
V
RG1
V
GS1
V
GS2
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
RF
OUT /
V
DS2
13
12
NC
GND
静态电流
温度补偿
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 / D，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
©
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MW4IC915NBR1 MW4IC915GNBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
