飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW6S004N
第2版，第2/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为A类或AB类基站应用的频率
高达2000 MHz的。适合于模拟和数字调制和多载波
放大器应用。
•
典型的两个 - 音频性能@ 1960兆赫， 28伏，我
DQ
= 50毫安，
P
OUT
= 4瓦特PEP
功率增益 - 18分贝
漏极效率 - 33 ％
IMD - - 34 dBc的
•
典型的两个 - 音频性能@ 900兆赫， 28伏，我
DQ
= 50毫安，
P
OUT
= 4瓦特PEP
功率增益 - 19分贝
漏极效率 - 33 ％
IMD - - 39 dBc的
•
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流，1960兆赫， 4瓦的连续输出
动力
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
对 - 宽带稳定性芯片射频反馈
•
集成ESD保护
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MW6S004NT1
1 - 2000兆赫， 4 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 〜+ 150
150
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 4 W PEP ，二 - 音
外壳温度79 ° C， 4 W CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
8.8
8.5
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
III （最低）
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MW6S004NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
