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     CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
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    GRM1551X1H7R6CA01#

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    R6504ENX

     R6504ENX是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
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    RB168MM200

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