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1N914 参数 Datasheet PDF下载

1N914图片预览
型号: 1N914
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内容描述: 硅外延平面二极管 [SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE]
分类和应用: 二极管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 122 K
品牌: FRONTIER [ FRONTIER ELECTRONICS. ]
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前沿电子股份有限公司
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硅外延平面二极管
1N914 1N914A 1N914B
特点
快速开关
小身材
0.52∅
3.9∅
机械数据
CASE玻璃, DO35 ,以英寸尺寸(毫米),
导致每MIL -STD- 202方法208
极性阴极指出的色带
重量0.13 GRAMS
1.9
27.5
评级
反向电压
峰值反向电压
整流电流(平均值)
半波整流负载抗
在T
AMB
= 25 ºC至
50Hz.
正向电流浪涌在t < 1 s和t
J
=25 ºC
在T功耗
AMB
=25 ºC
结温
存储温度范围
符号
V
R
V
RM
I
O
I
FSM
P
合计
T
J
T
S
1N914
1N914A
75
100
75
500
500
200
- 55至+ 200
1N914B
单位
V
V
mA
mA
mW
ºC
ºC
电气特性(A
T
T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
在我正向电压
F
= 10毫安( 1N914 )
在我正向电压
F
= 20mA下( 1N914A )
-
V
F
在我正向电压
F
= 100毫安( 1N914B )
漏电流
在V
R
=20V
I
R
-
-
在V
R
=75V
I
R
-
在V
R
= 20V牛逼
J
=150 ºC
I
R
反向击穿电压
V
R
100
测试了100μA豆类
电容V
F
=V
R
=0
C
合计
-
切换时,在电压上升
测试了50毫安正向脉冲
V
FR
-
TP = 0.1μS上升时间\u003c 30ns的˚F
P
= 50至100千赫
反向恢复时间
从我
F
= 10mA至我
R
= 1毫安V
R
= 6V ř
L
=100Ω
热阻
函数来AMBLENT AIR
整流效率
在f = 100 MHZ V
RF
=2V
T
RR
R
THA
N
V
-
-
0.45
典型值
-
最大
1
单位
V
-
-
-
-
-
-
25
5
50
-
4
2.5
nA
μA
μA
V
PF
V
-
-
-
4
0.35
-
nS
K /毫瓦
-
1N914 1N914A 1N914B
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