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    2SK2808 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2808图片预览
    型号： 2SK2808
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOS - FET的 [N-channel MOS-FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 270 K
    品牌： FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
     浏览型号2SK2808的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2808的Datasheet PDF文件第2页  
    N-channel MOS-FET
    30V
    20mΩ
    2SK2808-01MR
    FAP-IIS Series
    Typical Switching Characteristics
    t=f(I
    D
    ): V
    CC
    = 15V, V
    GS
    = 10V, R
    G
    = 10Ω
    ±35A
    20W
    > Characteristics
    t [ns]
    V
    SD
    [V]
    →
    Power Dissipation
    P
    D
    =f(T
    C
    )
    125
    100
    P
    D
    / P
    Dmax
    [%]
    75
    50
    25
    0
    0
    0
    0
    0
    T
    C
    [°C]
    0
    0
    0
    Maximum Avalanche Current vs. starting T
    ch
    I
    AV
    =f(starting T
    ch
    )
    120
    100
    I
    AV
    / I
    AVmax
    [%]
    80
    60
    40
    20
    0
    0
    0
    0
    0
    starting T
    ch
    [°C]
    0
    0
    0
    This specification is subject to change without notice!

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