FHX04LG ， 05LG ， 06LG
超低噪声HEMT
特点
•低噪声系数： 0.75分贝（典型值） @ F = 12GHz的（ FHX04 ）
•高相关的增益： 10.5分贝（典型值） @ F = 12GHz的
•了Lg
≤
0.25微米中，WG = 200微米
•黄金门金属化的高可靠性
•性价比高陶瓷微带（ SMT ）封装
•磁带和卷轴包装可用
描述
该FHX04LG ， FHX05LG ， FHX06LG是高电子迁移率晶体管（HEMT ）
用于一般目的，低噪声和高增益放大器在2-18GHz
频率range.The设备均采用符合成本效益，低寄生，密封
密封的金属陶瓷封装的高容量通信， TVRO ， VSAT或其他
低噪声应用。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
*注意：
安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过2伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.05毫安分别与
4000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）不应超过80 ℃。
符号
VDS
VGS
PT *
TSTG
总胆固醇
等级
3.5
-3.0
180
-65到+175
175
单位
V
V
mW
°C
°C
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
FHX04LG
相关的增益
噪声系数
FHX05LG
相关的增益
噪声系数
FHX06LG
相关的增益
热阻
可用表壳款式：
LG
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
气
NF
气
NF
气
RTH
条件
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ， IDS = 10毫安
VDS = 2V ， IDS = 1毫安
IGS = -10μA
分钟。
15
35
-0.2
-3.0
-
9.5
-
9.5
-
9.5
-
极限
典型值。马克斯。
30
60
45
-
-0.7
-
0.75
10.5
0.9
10.5
1.1
10.5
300
-1.5
-
0.85
-
1.1
-
1.35
-
400
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
° C / W
VDS = 2V ，
IDS = 10毫安，
F = 12GHz的
渠道情况
注意：
RF参数，以抽样方式测量如下：
很多数量。
样本数量。
接受/拒绝
1200
or
少
125
(0,1)
1201
to
3200
200
(0,1)
3201
to
10000
315
(1,2)
10001或
过度
500
(1,2)
1.1版
1999年7月
1
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
