FLU17ZM
特点
高¡
输出功率： P1dB为32.5dBm = （典型值）。
高¡
增益： G1dB = 12.5分贝（典型值）。
ULOW
成本塑料（ SMT ）封装
‧Tape
和卷轴可用
L波段中&高功率GaAs FET
描述
该FLU17ZM是一个砷化镓场效应管设计用于基站和CPE
应用程序。这是使用塑料表面贴装的新产品系列
包进行了优化，为大批量的成本驱动的应用程序。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（外壳温度Tc = 25℃）
项
漏源电压
门Soutce电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
V
DS
V
GS
P
T
T
英镑
T
ch
等级
15
-5
8.3
-55到+150
150
单位
V
V
W
℃
℃
推荐工作条件（案例温度Tc = 25 ℃ ）
项
直流输入电压
通道温度
正向栅电流
反向栅电流
栅极电阻
符号
V
DS
T
ch
I
GSF
I
GSR
R
g
条件
≤
10
≤
145
≤
9..6
≥-1.0
200
单位
V
℃
mA
mA
Ω
电气特性（外壳温度TC = 25 ℃ ）
项
漏电流
跨
捏-O FF电压
栅源击穿
电压
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
热阻
类型： ZM
符号
I
DSS
gm
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
R
th
测试条件
V
DS
=5V, V
GS
=0V
V
DS
= 5V ，我
DS
=400mA
V
DS
= 5V ，我
DS
=30mA
I
GS
=-30uA
V
DS
=10V,
f=2.0GHz,
I
DS
=0.6I
DSS
（典型值）。
渠道情况
分钟。
-
-
-1.0
-5
31.5
11.5
-
极限
典型值。
600
300
-2.0
-
32.5
12.5
12
马克斯。
900
-
-3.5
-
-
-
15
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
℃/W
G.C.P. ：增益压缩点
注1：供给到本说明书中的产品是100％的DC性能测试。
注2：射频参数进行抽样检测10个/批了很多基础测量。
验收标准： （接受/拒绝） = （ 0/1） 。任何失败的很多，应100 ％复检。
ESD
类
Ⅱ
500
�½�
1999 V
注：根据EIAJ ED- 4701 C- 111A （ C = 100pF的， R = 1.5kΩ上）
1.1版
2003年5月
1
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
