富士通半导体
数据表
DS05-20868-3E
FL灰内存
CMOS
2M （ 256K
×
8 ）位
MBM29F002TC
-55/-70/-90
/MBM29F002BC
-55/-70/-90
s
特点
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单一5.0 V的读，写和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
引脚排列和软件，单电源闪存兼容
高级无意写保护
32针TSOP （ I） （包装说明： PFTN -正常弯曲型， PFTR ，反向弯曲型）
32引脚PLCC （包装说明： PD ）
最少100,000次写/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
一个16K字节， 2 8K字节，1 32K字节和三个64K字节
扇区的任何组合可以被擦除。还支持整片擦除
引导代码部门架构
T =热门行业
B =底界
嵌入式擦除算法™
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序™算法
在指定的地址，自动编程和校验数据
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
低V
CC
写禁止
≤
3.2 V
硬件复位引脚
重置内部状态机读方式
擦除挂起/恢复
支持读取或编程数据不被擦除扇区
扇区保护
硬件方法禁用的写入或擦除操作部门的任意组合
临时机构unprotection的
通过RESET引脚临时机构解除保护
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嵌入式擦除™ ，嵌入式程序™和ExpressFlash ™是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
