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MB84VD22182EE-90 参数 Datasheet PDF下载

MB84VD22182EE-90图片预览
型号: MB84VD22182EE-90
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内容描述: 32M ( ×8 / X16 )Flash存储器和4M ( ×8 / ×16)静态RAM [32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 61 页 / 1478 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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富士通半导体
数据表
DS05-50204-2E
堆叠MCP (多芯片封装)Flash存储器SRAM &
CMOS
32M ( × 8 / × 16 )Flash存储器&
4M ( × 8 / × 16 )静态RAM
MB84VD2218XEC
-90
/MB84VD2219XEC
-90
MB84VD2218XEE
-90
/MB84VD2219XEE
-90
s
特点
2.7至3.3 V •电源电压
•高性能
90 ns的最大访问时间(闪存)
85 ns的最大访问时间( SRAM )
•工作温度
-25至+ 85°C
•包73球BGA
(续)
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
F,V
CC
S = 3.0 V
+0.3 V
–0.3 V
SRAM
MB84VD2218XEC/EE-90/MB84VD2219XEC/EE-90
90
90
40
85
85
45
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
s
73球BGA塑料
(BGA-73P-M01)