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MB85RC16PNF-G-JNERE1 参数 Datasheet PDF下载

MB85RC16PNF-G-JNERE1图片预览
型号: MB85RC16PNF-G-JNERE1
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内容描述: FRAM内存16 K( 2 k ×8 )位I2C [Memory FRAM 16 K (2 K x 8) Bit I2C]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 20 页 / 131 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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富士通半导体
数据表
DS501-00001-2v0-E
FRAM内存
16 K (2 K
×
8 )位I
2
C
MB85RC16
描述
该MB85RC16是的FRAM (铁电随机存取存储器)芯片中的2048字的结构
×
8位,使用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性
存储器单元。
与SRAM不同,则MB85RC16能够保持数据,而无需使用一个数据备份电池。
在MB85RC16中使用的存储单元具有至少10个
10
阅读每比特/写操作的耐力,这
是一个显著改进的读取和写入操作的数目所支持的其他非易失性
内存产品。
该MB85RC16可以在一个字节单元提供书面因为不需要像长写入时间
快闪记忆体和E
2
舞会。因此,像写忙状态的写入完成等待序列
不是必需的。
特点
位配置
: 2048字
×
8位
工作电源电压: 2.7 V至3.6 V
工作频率
: 1兆赫(最大)
两线串行接口
:串行时钟(SCL )和串行数据(SDA) :由两个端口完全可控的。
工作温度范围:
40
°C
to
+
85
°C
数据保留
: 10年(
+
75
°C)
读/写耐用性
: 10
10
:塑料/ SOP , 8引脚( FPT - 8P- M02 )
低功耗
:工作电流0.1毫安(最大: @ 1 MHz时) ,待机电流0.1
μA
(典型值)
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