欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MB85RC128PNF-G-JNERE1 参数 Datasheet PDF下载

MB85RC128PNF-G-JNERE1图片预览
型号: MB85RC128PNF-G-JNERE1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: FRAM内存128 K( 16 Kb ×8 )位I2C [Memory FRAM 128 K (16 K x 8) Bit I2C]
分类和应用: 存储内存集成电路
文件页数/大小: 20 页 / 135 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
 浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MB85RC128PNF-G-JNERE1的Datasheet PDF文件第9页  
富士通半导体
数据表
DS05–13110–3E
FRAM内存
128 K (16 K
×
8 )位I
2
C
MB85RC128
描述
该MB85RC128是FRAM (铁电随机存取存储器)的独立式芯片中的配置
16,384字
×
8位,使用了强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术
形成非易失性存储器单元。
该MB85RC128采用两线串行接口。
与SRAM不同,则MB85RC128能够保持数据,而无需使用一个数据备份电池。
用于MB85RC128非易失性存储器单元的读/写耐力改善是在
至少10个
10
周期,显著出来表演闪存和E
2
PROM中的数目。
写入到存储器,如闪存的情况下后MB85RC128不需要轮询序列
内存也ê
2
舞会。
特点
位配置
: 16,384字
×
8位
工作电源电压: 2.7 V至3.6 V
工作频率
: 400千赫(最大)
两线串行接口
: I
2
C总线规范版本。 2.1标准,支持标准模式/
快速模式。
完全控制两个端口:串行时钟( SCL)和串行数据( SDA ) 。
工作温度范围:
40
°C
+85
°C
数据保留
: 10年(
+
75
°C)
读/写耐用性
: 10
10
:塑料/ SOP , 8引脚( FPT - 8P- M02 )
低功耗
:工作电流0.15毫安(最大: @ 400千赫) ,待机电流5
μA
(典型值)
版权所有©2010-2011富士通半导体有限公司保留所有权利。
2011.6