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MBM29DL324BE-90TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL324BE-90TN图片预览
型号: MBM29DL324BE-90TN
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内容描述: 32M ( 4M ×8 / 2M ×16 )位双操作 [32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 80 页 / 1459 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
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富士通半导体
数据表
DS05-20881-3E
FL灰内存
CMOS
32M (4M
×
8/2M
×
16 )位
双操作
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
s
描述
该MBM29DL32XTE / BE是32M位, 3.0 V-仅限Flash组织为每个2M或8位4M字节的内存
也就是说,每行16位。这些设备被设计成在系统编程与标准系统3.0V,
V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备也可以
重新编程的标准EPROM编程器。
MBM29DL32XTE / BE被组织成两个存储体,行1和行2,它可以被认为是两个
单独的存储阵列,据某些操作有关。这些设备都是一样的富士通
标准3 V只有闪存与允许一个正常的无延迟读取访问权限的附加功能
从阵列的非繁忙银行而嵌入的写入(或一个程序或擦除)操作
同时服用的其他银行的地方。
(续)
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29DL32XTE/BE
80
80
80
30
90
90
90
35
12
120
120
50
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
48引脚塑料TSOP ( I)
63球FBGA封装胶
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(BGA-63P-M01)